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3 年
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FDMS86252 MOSFET パワー エレクトロニクス
N チャネル シールド ゲート 150 V 高効率、優れたスイッチング性能
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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6V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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51ミリオーム @ 4.6A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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15nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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905 pF @ 75 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.5W(Ta)、69W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-PQFN (5x6)
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パッケージ・ケース
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特徴
シールドゲートMOSFETテクノロジー
最大 rDS(on) = 51 mΩ (VGS = 10 V、ID = 4.6 A)
最大 rDS(on) = 70 mΩ (VGS = 6 V、ID = 3.9 A)
高度なパッケージとシリコンの組み合わせにより、低 rDS(on) と高効率を実現
MSL1 の堅牢なパッケージ設計
100% UIL テスト済み
RoHS準拠一般
説明
この N チャネル MOSFET は、シールド ゲート テクノロジーを組み込んだフェアチャイルド セミコンダクターの高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスはオン状態抵抗が最適化されており、優れたスイッチング性能を維持します。
応用
DC-DC変換
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