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FDD8880 MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252-3のパッケージのN-ChannelのPowerTrench® MOSFET 30V大将の速い切り替え速度
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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9mOhm @ 35A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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31 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1260 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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55W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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記述
このN-Channel MOSFETは同期か慣習的な切換えPWMのコントローラーを使用してDC/DCのコンバーターの全体的効率を改善するようにとりわけ設計されていた。それは低いゲート充満、低いr DS （で）および速い切り替え速度のために最大限に活用された。
特徴
•r DS （） = 9mΩ、V GS = 10V、ID = 35A
•r DS （） = 12mΩ、V GS = 4.5V、I D = 35A
•極端に低いr DSのための高性能の堀の技術（）
•低いゲート充満
•高い発電および現在の処理の機能MOSFETの最高
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