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FDD86102LZの高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクスの産業適用および高圧自動車適用
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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22.5mOhm @ 8A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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26 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1540 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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3.1W （Ta）、54W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDD86102LZのN-Channel力MOSFET
オン・セミコンダクターFDD86102LZは高性能N-channel力MOSFETである。それは高性能の転換の適用のための低いオン抵抗を特色にする。
特徴:
•低いオン抵抗
•速い切り替え速度
•最も高いピークの現在の機能
•高圧抵抗の機能
•迎合的なRoHS
指定:
•下水管源の電圧:100ボルト
•ゲート源の電圧:±20 V
•現在を流出させなさい:75 A
•下水管源のオン抵抗:4.2 mΩ
•ゲート充満:45 NC
•電力損失:320 W
•実用温度範囲:-55°Cへの+150°C
