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FDS6690A MOSFETのパワー エレクトロニクス8-SOICのパッケージの単一のN-Channelの論理レベルのPowerTrench大将
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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12.5mOhm @ 11A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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16 NC @ 5ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1205 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.5W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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パッケージ/場合
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記述
このN-Channelの論理のレベルMOSFETはオン・セミコンダクターのオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度のPowerTrenchプロセスを使用して。これらの装置は低電圧および低いインライン電源切れおよび速い切換えが要求される電池式の適用のためにうってつけである。
特徴
•11 Aの30のV. RDSの（） = 12.5のmΩ @ VGS = 10 V RDSの（） = 17.0のmΩ @ VGS = 4.5ボルト
•速い切り替え速度•低いゲート充満
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
•高い発電および現在の処理の機能
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