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3 年
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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2.5V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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30mOhm @ 5.8A、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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23 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±12V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1330 pF @ 10ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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1.6W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SuperSOT™-6
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パッケージ/場合
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記述
2.5ボルトがMOSFETを指定したこのP−Channelはonsemiのあった高度POWERTRENCHプロセスを使用して作り出される
特にon−stateの抵抗を最小にするために今までのところでは優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持するために合った。これら
装置は電池の適用のためにうってつけである:負荷切換えおよび力管理、電池回路およびdc−dc
転換。
特徴
•– 5.8 A、– 20 V. RDS （） = 30のm @ VGS = – 4.5ボルト
RDS （） = 43のm @ VGS = – 2.5ボルト
•低いゲート充満
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
•SuperSOT TM – 6パッケージ:小さい足跡（小さい72%より
控えめな標準的なSO-8） （1つのmm厚い）
•これらの装置はPb−Freeであり、Halide放しなさい
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