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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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69mOhm @ 22A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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61 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±30V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2870 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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38W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220F-3
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターからのFDPF44N25T MOSFETのパワー エレクトロニクス
•電圧評価:25V
•下水管源の電圧:25V
•下水管の現在の評価:44A
•最高の電力損失:230W
•RDS （）:0.15Ω
•包装:TO-220
•実用温度範囲:-55°Cへの+150°C
•タイプの取付け:穴を通して
•パッケージ/場合:TO-220-3
