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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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72mOhm @ 26A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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125 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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5890 pF @ 380ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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481W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-247-3
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
FCH072N60
製造業者:オン・セミコンダクター
変数:
タイプ:N-channel MOSFET
Vdss （下水管源の電圧）:600V
ID （連続的な下水管の流れ）:72A
Rds （抵抗で）:0.08Ω
Vgs （ゲート源の電圧）:±20V
Qg （ゲート充満）:55nC
Pd （最高の電力損失）:300W
パッケージ:TO-247AC
