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3 年
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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650mOhm @ 6A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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34 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±30V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1676 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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39W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220F-3
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パッケージ/場合
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プロダクト:FDPF12N60NZ MOSFETのパワー エレクトロニクス
製造業者:オン・セミコンダクター
製品の説明:
FDPF12N60NZはオン・セミコンダクターからのN-channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。それに12Aの600V、最高の下水管の流れ（ID）および0.58 ΩのRDSの最高の下水管源の電圧（VDS）が（）ある。この装置はDC-DCのコンバーター、モーター ドライブ、電源および周波数変換装置のような高周波転換の適用のために設計されている。それは高周波操作を扱う100つまでのkHzことができる。FDPF12N60NZは迎合的なRoHS、-55からの+150 °C.に実用温度範囲がある。
特徴:
- 600V下水管源の電圧（Vds）
- 12A下水管の流れ（ID）
- 0.58Ω Rds （）
- 高周波転換の機能100つまでのkHz
- 迎合的なRoHS
- 実用温度範囲:-55から+150 °C
