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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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6Ohm @ 170mA、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2V @ 1mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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2.5 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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21.5 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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360mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3
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パッケージ/場合
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BSSは123のL TO-236-3パッケージで包まれるN-channelの強化モード力MOSFETである。それはそれを広い応用範囲のために適したようにする低いオン抵抗および優秀な転換の性能と設計されている。MOSFETはよりよい制御および改善された効率を可能にする最大限に活用されたゲート充満および改良されたゲート源の電圧境界を特色にする。それはまた低いキャパシタンスを提供し、低い転換の損失を保障する。
パッケージは表面の台紙プロセスと互換性があり、板か他の適用に容易な統合を可能にする。このMOSFETはそれを強力な適用のために適したようにする高い流れおよび電圧を扱える。それはまた迎合的なRoHSでありそれに環境に優しく、信頼できる選択をする。
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