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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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24mOhm @ 6.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2.2V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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22 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1290 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.3W （Ta）、41W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-MLP （3.3x3.3）
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDMC86102LZのN-Channel力MOSFET
特徴:
•低いオン抵抗RDS （）
•低いゲートの境界の電圧
•低い入れられたキャパシタンス
•迎合的なRoHS
•ハロゲンおよびアンチモンは利用できる放す
指定:
•下水管源の電圧（Vdss）:100V
•連続的な下水管の流れ（ID）:11A
•RDS （）:9.3mΩ
•ゲートの境界の電圧（Vgs （Th））:1.8V
•入れられたキャパシタンス（Ciss）:710pF
•電力損失（Pd）:3.5W
•実用温度（Tj）:-55°Cへの175°C
•タイプの取付け:表面の台紙
