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FETのタイプ
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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4.5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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6.9mOhm @ 14A、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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28 NC @ 10ボルト
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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1850 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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2.5W (Ta)、33W (Tc)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-PQFN (5x6)
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パッケージ/場合
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FDMS7680は高度のN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。それはそれを広い応用範囲にとって理想的にさせる8-PowerTDFNパッケージで収容される。FDMS7680は高性能および低い転換の損失を提供するように設計されている。装置はそれを理想的にさせる転換の適用に低いゲート充満および低い出力キャパシタンスを提供するために最大限に活用される。
FDMS7680は伝導の損失を減らし、電力損失を最小にすることができるそれに力管理適用のための理想的な選択をする低いオン州の抵抗を特色にする。装置はまた迎合的なRoHSでありそれに環境に優しい選択をする。
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