Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NTNS3193NZT5G MOSFETのパワー エレクトロニクス3-XFLGAのパッケージの高い発電の電子工学の産業適用

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NTNS3193NZT5G MOSFETのパワー エレクトロニクス3-XFLGAのパッケージの高い発電の電子工学の産業適用

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型式番号 :NTNS3193NZT5G
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
FETのタイプ :N-Channel
技術 :MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :20V
タイプの取付け :表面の台紙
Vgs (最高) :±8V
実用温度 :-55°C | 150°C (TJ)
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NTNS3193NZT5G MOSFET力
電子工学3-XFLGAのパッケージの高い発電の電子工学の産業適用

 

 

 

FETのタイプ
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
1.5V、4.5V
(最高) @ ID、VgsのRds
1.4Ohm @ 100mA、4.5V
Vgs ((最高) Th) @ ID
1V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
0.7 NC @ 4.5ボルト
Vgs (最高)
±8V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
15.8 pF @ 15ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
120mW (Ta)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
製造者装置パッケージ
3-XLLGA (0.62x0.62)
パッケージ/場合

 

 

 

NTNS 3193 NZT 5Gは高周波転換の適用使用のために設計されている高速N-channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置であるそれは強い性能のための低いオン州の抵抗速い切り替え速度および高い絶縁破壊電圧を特色にする

 

 

 

3- XFLGAのパッケージはいろいろな適用容易な統合優秀な管理および控えめな設計を提供するNTNS 3193 NZT 5GはDC/DCのコンバーター電源運動制御およびLEDの照明のような高速転換の適用使用にとって理想的である

 

 

 

 

 

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NTNS3193NZT5G MOSFETのパワー エレクトロニクス3-XFLGAのパッケージの高い発電の電子工学の産業適用

 

 

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