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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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8.5ミリオーム @ 14A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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52nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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2620 pF @ 20 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.1W(Ta)、60W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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D²PAK (TO-263)
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製品リスト:
オン・セミコンダクター FDB8447L MOSFET パワー エレクトロニクス
特徴：
• 超低 RDS(ON)
• 高効率と低EMI
• アバランチパフォーマンスの強化
• 超低ゲート電荷
• 高周波機能
• RoHS対応
アプリケーション:
• グラフィックカード電源
• 自動車用途
• 高周波DC-DCコンバータ
• 低ノイズアンプ
• 汎用電源
仕様:
• 定格電圧: 40V
• 連続ドレイン電流: 40A
• オン抵抗: 7mΩ
• 消費電力: 30W
• 動作温度範囲: -55°C ～ 150°C
• 取り付けタイプ: 表面実装
