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3 年
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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3.3ミリオーム @ 100A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4.5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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144nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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10965 pF @ 40 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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263W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220-3
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パッケージ・ケース
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のFDP032N08B-F102はあるN-チャネル力MOSFETからインフイネの上テクノロジー。それは設計ために使用の直流/直流変換するターズ、モーターコントロール、と他の力管理アプリケーション。これデバイスは利用可能のあるに-220-3パッケージと三つリード。 これMOSFETは建てられた使用しての高度高い-ボルト年テクノロジー。
それ動作しますとあるドレイン-ソース電圧(VDS)の80V、のの上-州抵抗(RDS(の上))の0。028Ω、とのIDの82あ。それオファーある最大ドレイン現在の82あとある最大ドレイン-ソースの上-州抵抗の0。028Ω。これMOSFETオファー速い切り替え能力と上長雪崩頑丈ならしさ。それまた提供します改善された熱の抵抗、結果として生じるの改善されたシステム効率。のFDP032N08B-F102はロHS準拠したとハルオーゲン-無料。
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