Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NVTA7002NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャネルエンハンスメントモード SC-75 600V 4.3A 17.3mΩ RDS

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NVTA7002NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャネルエンハンスメントモード SC-75 600V 4.3A 17.3mΩ RDS

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型式番号 :NVTA7002NT1G
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
FETのタイプ :N-Channel
技術 :MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :30V
タイプの取付け :表面の台紙
Vgs (最高) :±10V
実用温度 :-55°C | 150°C (TJ)
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NVTA7002NT1G MOSFET パワー エレクトロニクス
Nチャンネルエンハンスメントモード SC-75 600V 4.3A 17.3mΩ RDS

FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V、4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7オーム @ 154mA、4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 100μA
Vgs (最大)
±10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
20 pF @ 5 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
300mW(Tj)
動作温度
-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-75、SOT-416
パッケージ・ケース
基本製品番号

ネバダ州7002ノーザンテリトリー1GあるデュアルN-チャネルMOSFET(金属-酸化物-マイクオンダクタ分野効果トランジスタ)からの上Sエミックオンダクタそれあるとても低いの上-レス距離低いゲート充電低いゲート-ソース充電MOSFETある小さいSC-75パッケージそれもっているあるドレイン-ソース電圧評価60Vある最大ドレイン現在07それ理想ために使用高いスピード切り替えアプリケーション提供します素晴らしい切り替えパフォーマンスそれもっているウルトラ-低いの上-レス距離000045おおMSある低いゲート充電52nCMOSFETHS準拠した適切ためにある範囲アプリケーション含む管理オーディオアンプファイアーバッテリー管理システム

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