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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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7.5mOhm @ 100A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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100 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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7350 pF @ 75ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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333W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220-3
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パッケージ/場合
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FDP 075N15のA-F 102はTO-220-3パッケージが付いているN-Channel力MOSFETである。優秀な転換の性能、低いオン抵抗および低いゲート充満を提供するのは高性能の、高圧および高速装置である。この装置に600ボルトの最高の下水管源の電圧、75Aの最高の下水管の流れ、±20Vの最高のゲート源の電圧および175°C.の最高チャネルの温度がある。FDP 075N15のA-F 102はEMIを減らし、よりよいシステム効率の提供を助けるように速い切り替え速度を特色にする。それはDC-DCのコンバーター、電源、モーター ドライブおよび他の力の転換の適用のような高周波適用のために適している。
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