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NTGS 3443 T1G MOSFETのパワー エレクトロニクス4.4 Amps P−Channel 20ボルトのTSOP−6
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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2.5V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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65mOhm @ 4.4A、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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15 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±12V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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565 pF @ 5ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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500mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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6-TSOP
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パッケージ/場合
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特徴
•超低いRDS （）
•高性能の延長電池の寿命
•ミニチュアTSOP−6表面の台紙のパッケージ
•これらの装置はPb−Free、迎合的なRoHSである
•自動車および他の適用要求のためのNVGSの接頭辞
独特な場所および制御変化の条件;AEC−Q101
可能な修飾され、PPAP
適用
•ポータブルおよびBattery−Poweredプロダクトの力管理、
すなわち:細胞およびコードレス電話およびPCMCIAカード
