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NTR 3C21NZT 1G SOT-23 MOSFETのパワー エレクトロニクス力の単一のN-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm20 V 3.6 A
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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1.8V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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24mOhm @ 5A、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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17.8のNC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±8V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1540 pF @ 16ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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470mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3 （TO-236）
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターNTR3C21NZT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSOT-23
特徴:
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•低い入出力漏出
•低いゲート充満
•低い境界の電圧
•ESDの保護
適用:
•自動車
•電池管理
•コンバーター
•産業
•運動制御
•システム力管理
指定:
•パッケージ:SOT-23
•構成:N-Channel
•トランジスター極性:N-Channel
•下水管源の電圧（Vdss）:30ボルト
•ゲート源の電圧（Vgs）:±20 V
•現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:-0.2 A
•（最高） @ ID、VgsのRds:0.0085オーム@ 0.2 A、10ボルト
•パワー最高:350 MW
•実用温度:-55°Cへの175°C （TJ）
•タイプの取付け:表面の台紙
•製造者装置パッケージ:SOT-23
•Pd -電力損失
