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3 年
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プロダクト リスト:BSS131H6327XTSA1 MOSFET
特徴:
- N-Channelの強化モード
- 低いオン抵抗
- 速い切換えおよび低い境界の電圧
- 低いゲート充満
- 改善されたなだれエネルギーおよび強いdv/dtの機能
- 迎合的なRoHS
指定:
- 下水管源の電圧（Vdss）:30V
- ゲート源の電圧（Vgss）:±20V
- 流れ（ID）を流出させなさい:-1.4A （Tc=25℃）
- 下水管源のオン抵抗（Rds）:0.28Ω （Tc=25℃）
- 電力損失（Pd）:1.2W （Tc=25℃）
- なだれエネルギー（Eas）:8mJ
- 実用温度範囲（Tj）:-55°Cへの+150°C
- 保管温度の範囲（Tstg）:-55°Cへの+150°C
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