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3 年
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プロダクト リスト:
20N50C-E3ケイ素のN-Channel MOSFET
特徴:
•低いオン抵抗RDS （）
•低いゲート充満
•低い境界の電圧
•高い現在の機能
•高速切換え
•高い信頼性
•なだれエネルギーは評価した
•ESDは評価した
•迎合的なRoHS
指定:
•源の電圧（VDS）に流出させなさい:500V
•連続的な下水管の流れ（ID）:20A
•抵抗（RDSon）:4.7mohm
•源の電圧（VGS）へのゲート:±20V
•電力損失（PD）:145W
•作動し、保管温度:-55から150
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