Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFH4253DTRPBF MOSFET 高周波スイッチングアプリケーション向けパワーエレクトロニクス SMD パッケージ

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IRFH4253DTRPBF MOSFET 高周波スイッチングアプリケーション向けパワーエレクトロニクス SMD パッケージ

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型式番号 :IRFH4253DTRPBF
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
技術 :MOSFET (金属酸化物)
構成 :2 N-Channel (二重)
FETの特徴 :論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :25ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :64A、145A
(最高) @ ID、VgsのRds :3.2mOhm @ 30A、10V
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IRFH4253DTRPBFMOSFETエレクトロニクス

高周波スイッチング用途向けのSMDパッケージ

説明:


IRFH4253DTRPBF は、最大ドレイン-ソース間電圧 55V、最大ドレイン電流 8A の N チャネル パワー MOSFET です。スイッチング、電源管理、ローサイドスイッチング、ロジックレベル変換などのさまざまなアプリケーションで使用できるように設計されています。

特徴:


• 最大ドレイン・ソース間電圧: 55V
• 最大ドレイン電流: 8A
• 最大消費電力: 16W
• 動作温度範囲: -55°C ~ +150°C
• RoHS対応
• ハロゲンフリーも利用可能
• 鉛フリーも利用可能

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IRFH4253DTRPBF MOSFET 高周波スイッチングアプリケーション向けパワーエレクトロニクス SMD パッケージ

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