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Infineon BSC 052N08NS5ATMA 1のN-Channel MOSFETの特徴:
•低いオン抵抗RDS （）
•低いゲート充満Qg
•低い前方電圧VF
•平行になる容易さ
•低い境界の電圧VGS （Th）
•高められたdv/dtの機能
•評価されるなだれ
•IEC 61249 - 2- 21に従ってハロゲンなし
•RoHSの迎合的な指定
•源の電圧に流出させなさい:800ボルト
•連続的な下水管現在のID:52 A
•ゲートの境界の電圧VGS （Th）:4ボルト
•オン抵抗RDS （）:0.0055 Ω
•ゲート充満Qg:25 NC
•前方相互コンダクタンスのgfs:24.7 S
•電力損失Pd:280 W
•実用温度:-55 175°Cへの°C
•パッケージ:TO-252-3 （DPAK）
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