Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IPD60R1K4C6 MOSFETのパワー エレクトロニクス-高い現在の低いオン抵抗の低いゲート充満

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IPD60R1K4C6 MOSFETのパワー エレクトロニクス-高い現在の低いオン抵抗の低いゲート充満

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型式番号 :IPD60R1K4C6
原産地 :複数の起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :99999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
プロダクト状態 :Digiキーによって中断される
FETのタイプ :Nチャネル
技術 :MOSFET (金属酸化物)
下水管源の電圧(Vdss) :600V
25°Cの流れ-連続的な下水管(ID) :3.2A (Tc)
運転する電圧(最高Rds、最低Rds)を :10V
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IPD 60R1K4C6のN-ChannelはMOSFETの指定を高めた:

 

電圧:60ボルト

抵抗:1

キャパシタンス:4C6

現在:5A

パッケージ:TO-252

特徴:低いオン抵抗低い入力キャパシタンスおよび速い切り替え速度

 

 

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IPD60R1K4C6 MOSFETのパワー エレクトロニクス-高い現在の低いオン抵抗の低いゲート充満

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