製品カテゴリ

ICのダイオードのトランジスター

[10]

企業との接触

Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

ウェブサイトにアクセスします

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：jack

表示連絡先の詳細

企業との接触

SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET パワーエレクトロニクスの高性能かつコスト効率の高いソリューション

最新の価格を尋ねる

型式番号 :SI2304DDS-T1-GE3

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :30ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :3.3A （Ta）、3.6A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

（最高） @ ID、VgsのRds :60mOhm @ 3.2A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :2.2V @ 250µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :6.7 NC @ 10ボルト

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET パワーエレクトロニクスの高性能かつコスト効率の高いソリューション

製品説明：

Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 は、さまざまなアプリケーションで優れた電力処理を提供する N チャネル MOSFET です。この MOSFET は、優れたスイッチング性能、低リーク電流、低ゲート電荷、低オン抵抗を実現するように設計されています。SI2304DDS-T1-GE3 は、高電力スイッチング、電力管理、およびその他の電力アプリケーションでの使用に適しています。

特徴：
• 4.8V ゲートドライブ
・低いオン抵抗
• ゲート電荷が低い
• 低漏れ電流
• RoHS対応
• 無鉛の

仕様:
• ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 30V
• ドレイン・ソース間オン状態抵抗 (RDS(on)): 0.0095 オーム
• 連続ドレイン電流 (ID): 12A
• パルスドレイン電流 (IDM): 25A
• ゲート・ソース間電圧 (VGS): -5V ～ +4.8V
• 消費電力 (Pd): 3W

当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利

• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>

• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンラインチャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>

• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。

商品のタグ：