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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
電子部品ICの破片 (627)
フラッシュ・メモリの破片 (655)
MOSFETのパワー エレクトロニクス (1323)
IGBT力モジュール (42)
ICのダイオードのトランジスター (10)
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MOSFET Power Electronics
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IRF9Z24NPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスのパワー エレクトロニクスの適用のための高性能N-Channel装置
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プログラム可能なICの破片
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集積回路ICの破片
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IRF9Z24NPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスのパワー エレクトロニクスの適用のための高性能N-Channel装置
製品の詳細
IRF9Z24NPBFは特徴および指定の範囲を提供する力MOSFETのトランジスターを含んでである: 10ボルトのVGSの0.12オームの低いオン州の抵抗 12アンペアの高い現在の運送機能 55ボルトの最高の電圧評価 速い切り替え速度および有効な操作のための作り付けボディ ダイオード 回路設計への容...
製品詳細図 →
商品のタグ：
高電圧IGBT
イグット・ダイオード
ダイオード付き igbt
