Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFETのパワー エレクトロニクスSQ2315ES-T1_BE3の高性能の低電圧のNChannel

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MOSFETのパワー エレクトロニクスSQ2315ES-T1_BE3の高性能の低電圧のNChannel

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型式番号 :SQ2315ES-T1_BE3
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
下水管源の電圧(Vdss) :600V
ID @ 25°C :23A
Rds () @ 25°C :0.028ohm
ゲート源の電圧(VGS) :±20V
Rds () @ 100°C :0.041ohm
Pd @ 25°C :125W
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MOSFETのパワー エレクトロニクス

SQ2315ES-T1_BE3高性能の低電圧のNChannel

 

 

 

プロダクト変数:


•下水管源の電圧(Vdss):600V

•ID @ 25°C:23A

•Rds () @ 25°C:0.028ohm

•ゲート源の電圧(Vgs):±20V

•Rds () @ 100°C:0.041ohm

•Pd @ 25°C:125W

•相互コンダクタンス(GM):15.3S

•Qg @ 25°C:7.2nC

•ゲート充満(Qgs):2.3nC

•Vth @ 25°C:3.2V

•Qgd @ 25°C:3.5nC

•Qgs @ 25°C:4.9nC

•Ciss:8200pF

•Coss:3900pF

•Crss:61pF

 

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MOSFETのパワー エレクトロニクスSQ2315ES-T1_BE3の高性能の低電圧のNChannel

 

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