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MOSFETのパワー エレクトロニクス
SQ2315ES-T1_BE3高性能の低電圧のNChannel
プロダクト変数:
•下水管源の電圧(Vdss):600V
•ID @ 25°C:23A
•Rds () @ 25°C:0.028ohm
•ゲート源の電圧(Vgs):±20V
•Rds () @ 100°C:0.041ohm
•Pd @ 25°C:125W
•相互コンダクタンス(GM):15.3S
•Qg @ 25°C:7.2nC
•ゲート充満(Qgs):2.3nC
•Vth @ 25°C:3.2V
•Qgd @ 25°C:3.5nC
•Qgs @ 25°C:4.9nC
•Ciss:8200pF
•Coss:3900pF
•Crss:61pF
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