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Shenzhen Jinsheng Weiye Electronics Co., Ltd

About Shenzhen Jinsheng Weiye Electronics Co., Ltd JSWY Semiconductor Limited was founded in 2019, specializing in the electronic components distribution business. We adhere to honesty and ethics as

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トランジスターMOSFET

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China 表面の台紙MBRM140 DO-216AAショットキーのダイオード整流器1A 40V for sale

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MBRM140 DO-216AAショットキーのダイオードおよび整流器1A 40V MBRM140データ用紙 プロダクト細部 表面の台紙のショットキー力の整流器 POWERMITE®力の表面の台紙のパッケージ ショットキーPowermiteは最適前......
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China IRFH5210TRPBF MOSFET HEXFET 100V 1 N-CH 14.9mOhms 39nC for sale

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IRFH5210TRPBF MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC IRFH5210TRPBFのデータ用紙 指定 属性 属性値 製造業者 IOR 製品カテゴリ 単一FETs - 包装 巻き枠 土台式 SMD/SMT パッケージ場......
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China SI4435DDY MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 for sale

SI4435DDY MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4435DDY データシート 製品詳細 特徴• IEC 61249-2-21 定義によるハロゲンフリー• TrenchFET®パワーMOSFET• RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 アプリケーション • ロー......
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China SD103CW-7-F ショットキーダイオードおよび整流器 20V 250mW for sale

SD103CW-7-F ショットキーダイオードおよび整流器 20V 250mW

SD103CW-7-F データシート 仕様 属性 属性値 メーカー ダイオードズ・インコーポレーテッド 製品カテゴリ ダイオード、......
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China L7805CDT-TR リニアレギュレータ 5.0V 1.5A 正 for sale

L7805CDT-TR リニアレギュレータ 5.0V 1.5A 正

L7805CDT-TR データシート 仕様 属性 属性値 メーカー STマイクロエレクトロニクス 製品カテゴリ ICチップ シリ
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China BAS40 SOT-23ショットキーのダイオードおよび整流器 for sale

BAS40 SOT-23ショットキーのダイオードおよび整流器

BAS40,215データ用紙指定属性属性値製造業者NXPの半導体製品カテゴリダイオード、単一整流器-シリーズ-包装 互い違いの包装パッケージ場合TO-236-3、SC-59、SOT-23-3土台タイプ表面の台紙製造者装置パッケージSOT-23 （TO-236AB）速度小さい信号=ダイオード タイプ ...
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China NDT3055L MOSFET SOT-223 N-CHの論理 for sale

NDT3055L MOSFET SOT-223 N-CHの論理

NDT3055Lのデータ用紙 指定 属性 属性値 製造業者 onsemi 製品カテゴリ 単一FETs - シリーズ - 包装 互い違いの包装 一部別名 NDT3055_NL 単位重量 0.006632 oz 土台式 SMD/SMT パッケージ場合 TO-261-4、TO-261AA 技術......
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China SOT-23 IRLML9301TRPBF MOSFETのP-Channel 30V 3.6A 64mOhm for sale

SOT-23 IRLML9301TRPBF MOSFETのP-Channel 30V 3.6A 64mOhm

IRLML9301TRPBF データシート 仕様 属性 属性値 メーカー IOR 製品カテゴリ FET - シングル シリーズ HEXFET® 包装 代替パッケージ......
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China IXDN609SI力管理ICは運転者の9アンペア低側の超高速MOSFETをゲートで制御する for sale

IXDN609SI力管理ICは運転者の9アンペア低側の超高速MOSFETをゲートで制御する

MCR8SMGのデータ用紙 プロダクト細部 SCRs RMS 8アンペアの400から800ボルト 主に、運動制御、ヒート コントロールおよび電源のような半波AC制御適用のために設計されている;またはどこにでもhalf−wave、ケイ素はgate−controlled装置必要である。 特徴 •敏感なゲ...
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China AUIRFN8401TRのトランジスターMOSFET 40Vの単一のN-Channel HEXFET for sale

AUIRFN8401TRのトランジスターMOSFET 40Vの単一のN-Channel HEXFET

AUIRFN8401TRのデータ用紙 プロダクト細部 記述 具体的には自動車適用のために設計されていて、このHEXFET®力MOSFETはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。この設計の付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された...
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