N25Q064A13ESE40Gのデータ用紙
指定
| 属性 | 属性値 |
| 製造業者 | マイクロン・テクノロジ株式会社。 |
| 製品カテゴリ | 記憶IC |
| シリーズ | - |
| 包装 | 管の互い違いの包装 |
| パッケージ場合 | 8-SOIC （0.209"、5.30mmの幅） |
| 作動温度 | -40°C | 85°C （TA） |
| インターフェイス | SPIの連続 |
| 電圧供給 | 2.7 V | 3.6ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 8-SO W |
| 記憶容量 | 64M （16Mx4） |
| 記憶タイプ | フラッシュ- |
| 速度 | 108MHz |
| フォーマット記憶 | フラッシュ |
機能多用性がある部品
装置記述
N25Qは65nm技術で製造された最初の高性能多数入出力連続フラッシュ・メモリ装置である。保護メカニズムおよび高速SPI互換性があるバス・インターフェースを書くことを進む実行場所（XIP）の機能tionalityを特色にする。革新的な、高性能の、二重およびクォード入出力指示倍を可能にするか、または読書およびプログラム操作のための移動の帯域幅を四倍にするため。
特徴
記憶は16の補助的なセクターそれぞれに分けられるそれ以上である64の（64KB）主要なセクターとして組織される（合計の1024の小区域）。記憶はまたは全体として1つの4KB小区域、64KBセクター一度に一度に消す、ことができる。
記憶は適用必要性によって揮発および不揮発性記憶保護機構を通したソフトウェアによって、書込み禁止にすることができる。保護粒度は装置に読まれたOTPおよびプログラムOTP命令と読まれ、プログラムすることができる64の一度だけのプログラム可能な（OTP）バイトがある揮発保護のための64KB （セクターの粒度）である。この64バイトはまたプログラムOTP命令と永久に締めることができる。装置にまた休止する機能があり、プログラムを再開し、熱心なPROGRAM/ERASEの使用によって周期を消すことは指示を中断し、再開する。
プロダクト細部
記述
フラッシュ-記憶IC 64Mb （16M x 4） SPI 108MHz 8-SO W
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6-TSSOP、
