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二重平たい箱との2インチの側面によって磨かれるLEDのサファイアのウエファー
サファイア（サファイア、別名白いサファイア、分子方式Al2O3）の単結晶は優秀な多機能材料である。それに高温抵抗、よい熱伝導性、高い硬度の、赤外線伝達およびよい化学安定性がある。企業、国防および科学研究の多くの分野で広く利用された（高温赤外線窓、等のような）。同時に、それはまた広く利用された単結晶の基質材料であり、すみれ色青のための最初の選択であり白い発光ダイオード（LED）および青レーザー（LD）はまた企業（サファイアの基質はエピタキシアル ガリウム窒化物のフィルムである最初に必要がある）、重要な超伝導のフィルムの基質である。
通常、GaNベースの材料のエピタキシアル層および装置はサファイアの基質で主に育つ。サファイアの基質に多くの利点がある:第一に、サファイアの基質の生産技術は成長して、装置質はよい;第二に、サファイアは非常に安定して、高温成長プロセスで使用することができる;最終的に、サファイアに高い機械強さがあり、扱い易いおよびクリーニング。従って、基質としてほとんどのプロセス一般使用のサファイア。
C平面のサファイアの基質がIII-Vを育てるのに使用され、II-VIのグループはフィルムを、青いLEDプロダクト、半導体レーザーおよび赤外線探知器の塗布を作り出すことができるガリウム窒化物のような沈殿させた。これは主にCの軸線に沿うサファイア ガラスの成長のプロセスが成長しているので、費用比較的低いあり、物理的な、化学特性は安定している。Cの表面のエピタキシアル成長のための技術は成長し、安定している。Cの軸線に水晶光沢があり、他の斧に否定的な光沢がある;Cの平面は平らであり、切れることが最善である。
2インチのサファイアのウエファーのProducの条件
プロダクトは良質の光学等級のサファイア ガラスからここに製造される指定した。
| 変数 | 指定 |
| 水晶オリエンテーション | MへのC軸線（0001）のmiscut |
| レーザーの印の方のMisオリエンテーション | 軸線の± 0.1°Towards Mの軸線を離れた0.2° |
| 第一次平たい箱の方のMisのオリエンテーション | 0°± 0.15° |
| 直径 | 50.8mmの± 0.10mm |
| 厚さ | 430um ± 15um |
| オリエンテーションの平らな位置 | 軸線の± 0.2° |
| 主要で平らな長さ | 16.0mm± 1.0mm |
| 表面の終わり | Epiは1つの側面、Ra<0.3nmを磨いた |
| 背部表面 | 0.8~1.2um |
| 端の状態 | M391の表2を半超過しない角欠け |
| TTV | < 5um |
| LTV | <2um |
| 弓 | -10~ 0 um |
| ゆがみ | < 10um |
| ウエファーID | どれも |
| 清潔 | 視覚汚染無し |
| 包装 | 25pcsの真空パックのカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で、包まれるべき基質。 |
FQA
1. あなた商事会社または工場はであるか。
私達はサファイア プロダクトの専門の工場、また商事会社である。
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