Mの平らなサファイアの半導体430um高い水晶純度

M平面のサファイアのサファイアの半導体

M平面のサファイアは何であるか。

私はM平面のサファイアによって使用される二重Alnの緩衝層の層の数を高めた。 それは500以下の層からの1,000以上の層に、昨年なり、二重alnの緩衝層の2,500の層の平均より速く育っている。私は単一および多数の層の、約200の層からのそして約400の層までの層の量を今今年高めてしまった。それはまた二重alnの緩衝層を使用する単一の逸話的な層より速く育つ。
 
高解像のX線回折の測定はM平面SAPIREのXRDパターンが唯一のAlnの緩衝層-扶養家族で方位角であることを示した。FFTパターンは、上記のRDの結果および高解像のX線から得られて次示されている。

示される測定データはある特定のサファイアのテストに基づいているが、他のサファイアに耕作のタイプによって異なった強さがある。サファイアの平らな軸線は単結晶の実際のサファイアから定められ、高解像のX線回折およびX線の測定と分析することができる。総合的なサファイアはレベルA、C、RおよびMを含む普及した水晶方向で、育つ（後で実例を見なさい）。
 
plansapphiresの場合には、Mの軸線はCの軸線より大いに強い常に、しかし絶対強さの価値は生産道によって変わることができる。例の測定は軸線でテストされたとき、サファイアの平面に450 MPaの、そしてテストされたときm軸線の平面の強さが、要素持っている1200のMPの強さをa.あることを示すことができる。M斧はあらゆる方向の強さのためにテストすることができる。
 
MOCVDの成長の条件の下で、サファイアの正方形の表面は11 x 22の平面であり、Safirenの1102そして1100の平面間の角度は32 x 28度である。GaN源は1.0に類似したパターンを形作りがちであるがこの表面はCの軸線よりもむしろMの軸線への2.5度の平面で、一直線に並ぶ。[源:1、7つ]

光学要素320はサファイア ガラスの平らな軸線を確認するために望ましい平面へのサファイア（310）の結晶学の構造の拡大によって開発された。光学要素がサファイア ガラスに処理され、Mの軸線と並行するために310の平面が形成されたと同時にそれに改善された強さを与える定義された水晶平面の使用。
 
サファイアのMの平面は、サンプルの表面軸線に平行であり、Mの平面は平面の右側の平らな軸線と定義される。水晶はMの平面にあることが私達がわかっていれば、私達は水晶の各単位格子のオリエンテーションを定めるのにこの軸線を使用してもいい。
 
この問題を解決するためには、私達はMの平面でサファイアの2つの層の2つの超格子、1つおよびalnで他を造った。見ることができるようにインターフェイスはmの平面の方に一直線に並ぶ形作られたalnsの表面にはっきり平行を動かす。Mのレベルはに形成alNsはSappshireの11レベルに方向づけられるが、同様に方向づけられる。
 
私達はAlnのMの平面そしてmの平面のサファイアの特性を調査すること、また2間の関係に興味がある。私達は育ち、層の表面のpolydimethylsiloxane （PdMS）の薄層との厚いPDMSの最上層の2つの層を沈殿させ、そして脈打った放出させることによってSappshire 0001のそれを育てた。膜は鋼鉄ブラケットに逆さまに傾き、Sapshireの基質から手動で皮をむかれ、そして次に高圧の、低圧ポリマー基質で沈殿した。[源:1、6つ]

サファイアの形そして微細構造は正確に制御しにくいしかし私達はalnの厚さとしてことをエッチングの効果の増加観察してもいい。それがsaffirの記号だったように、nitridationの時間の増加。1）はnitridedサファイアの方向づけられたalnの形成を示すMの平面のエッチングの効果の存在を示す。藻の反射はそれらがmの平面にそして逆に含まれていることを提案する球から90度として見ることができる。