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平らなサファイアの半導体
平面のサファイアは何であるか。
軸線に垂直であるC軸線を含んでいる平面。平面のサファイアのオリエンテーションは光電子工学の適用で広く利用されている。
研究者がいかにか平面のサファイアの基質を使用するためにか。
研究者によって化学気相堆積（CVD）が平面のサファイアのAlGaNのepi-layersを育てるのに使用されていた。そしてMoS2をより有効な電子デバイスを作るために育てるため。
ReseachersはCVDプロセスを使用して多結晶性ダイヤモンドの薄膜を育てるのに平面のサファイアを使用した。
平面のサファイアのSingle-Crystalサファイアのイオン ビームの製粉
材料（MRR）の取り外し率は材料が表面から取除かれる速度である。材料が取除かれた後表面の粗さ（Sa）はいかに荒い表面があるかである。平面のサファイアのMRRはC平面およびM平面のサファイアのそれよりわずかに高い。他愛ない嘘の処置が3つの水晶オリエンテーション間の最も小さかった後平面のサファイアのSa。これらの結果は平面のサファイアがC平面およびM平面のサファイアと比較される他愛ない嘘の製粉の間のより容易な材料の取り外しを可能にすることを意味する。さらに、他愛ない嘘の製粉の後の平面のサファイアの表面質はC平面およびM平面のサファイアのそれよりよい。理論的な計算の結果は平面のサファイアの一番外の表面の1正方形のナノメーターあたりアルミニウム イオンそして酸素イオンの取り外しエネルギーが最も小さいことを示す。これはまた材料がC平面およびM平面のサファイアの表面より平面のサファイアの表面から他愛ない嘘の製粉ことをによって容易に取除かれることを意味する。