最新の価格を尋ねる
正会員
5 年
Add to Cart
良質LEDのサファイアの基質の異なったサイズ
サファイアの構成は3酸素のbasalsおよび2アルミニウムbasalsによって共有に結ばれるアルミナ（A12O3）である。結晶構造は六角形の格子構造である。サファイアの光学浸透バンドは近い紫外線から非常に広い。（190nm）中間赤外線光線によく軽い伝送を持ち、高く健全な速度、高温抵抗、耐食性、高い硬度、高い融点（20452の摂氏温度）、等の特徴を持ち、光電子工学の構成材料として頻繁に使用されてであって下さい。超高明るさの白/青いLEDの質はガリウム窒化物のエピタクシー（GaN）の物質的な質によって決まる、従ってそれはサファイアの基質の表面の処理質と使用した関連している。VI沈殿させたフィルム間の格子一定した不適当な組み合わせ率は小さく、GaNのエピタクシー プロセスの高温抵抗の条件を満たす。従って、サファイアの基質は白く/青/緑LEDsの生産のための主な材料になった。
| ウエファーの表面のオリエンテーション | C軸線[0001] 0.35° |
| ノッチの方のMisオリエンテーション | -0.10°への0.10° |
| ノッチからの右回りのMisオリエンテーション90° | 0.35° ± 0.10° |
| ノッチのオリエンテーション | M平面（- 1 1 0 0） |
| 直径 | 150.0mmの± 0.20mm |
| 厚さ | 1.30mmの± 0.02mm |
| ノッチのミスアラインメント | -0.3°への0.3° |
| GBIR | ≤ 15um |
| SBIR | ≤ 3um |
| 前側の弓 | -15 15umに |
| 前部表面の終わり | INGN-0144ごとに準備ができたEPI |
| Backsurface | 平均荒さ:0.95umへの0.65 荒さの範囲:0.4um |
| FrontsideのウエファーID | SEMII T5-96ごとの前部表面のウエファーID テキスト:MCXXXXXNNN-YZ MC:軸線の方の0.35のmisオリエンテーションのSilian 150mmのウエファー XXXXX:きれいなロットID NNN:ウエファー数 YZ:検査合計 |
| 斜め次元 | 前部斜めのサイズ:150umへの50 背部斜めのサイズ:200umへの50 前部ベベル角度:35から55度 |
| ロア（0.5mmで） | -1 1umに |
| 表面欠陥 | PLLC 5183.0699 HCカンデラ上部Specの限界 |
| 包装: | 窒素の大気の下の25のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境。 |
プロダクト利点
パターン サファイアの基質（PSS）:サファイアの基質は成長かエッチングによってLEDの出力ライト形態を制御するためにナノ スケールの特定の規則的な微細構造パターンを作り出すように設計されている。同時に、それはサファイアの基質で減らし、エピタクシーの質を育つことができ、GaNの欠陥をLEDの内部量子効率を改善し、軽い抽出の効率を高める改善する。
それに高く健全な速度、高温抵抗、耐食性、高い硬度、高く軽い伝送、高い融点（2045°C）、等の特徴がある。