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厚さ430um 0.1mm 0.2mmの2inchサファイアの倍の側面の磨かれたウエファー
記述
サファイアの光学窓は高圧、真空、または腐食性の大気が考察の適用にとって理想的である。サファイア、Al2O3の単結晶の形態は高い比誘電率による強い酸によって攻撃するために、抵抗力がある。それに高い耐圧強度および高い融点がある。それは暗くなる紫外線放射に対してまた抵抗力がある。
指定
| 水晶オリエンテーション | MへのC平面（0001）のmiscut |
| レーザーの印の方のMisオリエンテーション | rの（102の）方向からのMの平面の方の軸線の± 0.1°を離れた0.3° （主要な平たい箱からの90°は平面に沿って切られると仮定した） |
| 第一次平たい箱の方のMisのオリエンテーション | 0° ± 0.1° |
| ウエファーの直径 | 50.8± 0.05mm |
| 厚さ | 430± 20mm |
| 主要な平たい箱 | 16.0mmの± 1.0mm |
| 主要で平らな位置 | 軸線の± 0.3° |
| 前部表面 | Epi Polish< 0.3nm |
| 裏側の荒さ | <1micron |
| TTV | £ 10mm |
| ゆがみ | £ 10mm |
| 弓 | £ 10mm |
| 端の状態 | M391の表2を半超過しない角欠け |
| 基質レーザーの印 | 標準的な裏側は平たい箱に、平行になる |
| 包装 | 窒素の大気の下の25のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境、 |
2インチDSPの倍の側面は良質の光学等級のKyropoulosによって育てられたサファイア ガラスからサファイアの基質を製造することができる磨いた。
高い純度の単結晶のサファイアのエピタキシアル基質は直接エピタキシアル プロセス、PSSプロセス、ALNプロセスおよび他のエピタキシアル方法のために適している。それに均一波長の特徴がある、高い明るさおよび小さいSTD.私達は技術仕様のためのプロダクト カスタム化を受け入れてもいくC （0001）、a （11-20）およびmの（ノッチまたはまっすぐな端の水晶オリエンテーションの1100の）水晶オリエンテーションに、基づいて異なった外のり寸法のサファイアの単一/二重磨く基質を作り出す。
プロセス フロー
