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高純度の単結晶のサファイアの基質
導かれたサファイアの基質に高く健全な速度、高温抵抗、耐食性、高い硬度、高く軽い伝送および高い融点（2045°C）の特徴がある。それは処理するべき非常に困難な材料である従って光電要素s材料として頻繁に使用される。現在、超高明るさの白/青いLEDsの質はガリウム窒化物のエピタクシー（GaN）の物質的な質によって決まり、ガリウム窒化物のエピタクシーの質はサファイアの基質の表面の処理質と密接に使用した関連している。
| 直径: | 25.4mm | 200mm |
| 厚さ: | >0.1mm |
| 許容: | ±0.02mm |
| 表面質S/D: | 10/5 |
| 明確な開き: | >85% |
| 平行: | 10" |
| 伝達: | >85% @ 633nm |
| 小さな溝: | 0.2mm x 45度 |
注意
1. 基質およびエピタキシアル フィルムの構造の一致:エピタキシアル材料の結晶構造および基質材料は同じまたは類似している、格子一定した不適当な組み合わせは小さい、結晶化の性能はよく、欠陥密度は低い;
2. 基質およびエピタキシアル フィルムの熱拡張係数の一致:熱拡張係数の一致は非常に重要である。エピタキシアル フィルムおよび基質材料の熱拡張係数の大きい相違はだけでなく、エピタキシアル フィルムの質を減らすかもしれないがまた装置操作の間に暖房を引き起こす。そして装置への原因の損傷;
3. 基質およびエピタキシアル フィルムの化学安定性は一致する:基質材料はよい化学安定性がなければなりエピタキシアル成長の温度そして大気で分解し、腐食することは容易ではないしエピタキシアル フィルムの質はエピタキシアル フィルムとの化学反応が減らされた原因である場合もない;
4. 物質的な準備の難しさおよび費用のレベルのある程度:産業発展の必要性を考慮に入れて、基質材料の準備に簡単な条件があり、費用は高くないべきではない。基質のサイズは一般に2インチよりより少しではない。
現在、GaNベースのLEDsに使用する多くの基質材料があるが商業化、即ちサファイアおよび炭化ケイ素の基質に使用することができるたった2つの基質がある。