ガリウム酸化物（Ga2O3）に溶解の源から大きいバンドギャップエネルギーおよびそれが育つことができるある。その結果、大きい、良質のsingle-crystal基質は低料金で製造することができる。これらの特徴はGa2O3に次世代のパワーエレクトロニクスのための有望な材料を作る。それにまた青いLEDまたはUVB LEDのシリーズ抵抗を減らす高い利点がある。

Ga2O3の特性

β-Ga2O3は広いバンドギャップの半導体材料のガリウム酸化物の混合物である。その結晶構造は六角形の水晶システムに、高い電子移動度および大きい帯域幅と属する、従って広い適用見通しがある。β-Ga2O3についてのある細部はここにある:

物理的性質:

結晶構造:六角形の水晶システム

密度:5.88 g/cmの³

一定したに格子をつけなさい:= 0.121 nm、c = 0.499 nm

融点:1725の°C

R.i.:1.9-2.5

透明な波長範囲:0.23-6.0μm

電気特性:

帯域幅:4.8eV

電子移動度:200-600 cmの² /Vs

漏出率:10^ -5-10 ^-10 A/cmの²

レドックス潜在性:2.5V対NHE

Ga2O3の適用

広いバンドギャップおよび高い電子移動度のために、β-Ga2O3にパワーエレクトロニクス、photoelectronics、太陽電池および他の分野で広い適用見通しがある。特定の適用は下記のものを含んでいる:

紫外探知器およびレーザー

高い発電のMOSFETsおよびショットキーダイオード

高温センサーおよび潜在的なセンサー

太陽電池およびLED材料

β-Ga2O3はまだ結晶成長、不純物制御、装置製作、等のような準備そして適用のある挑戦に、直面する。但し、技術の連続的な開発と、β-Ga2O3の適用見通しはまだ非常に広い。

ガリウム酸化物、Ga2O3単結晶		2inch基質		10*15mmの基質
オリエンテーション		（- 201）	（- 201）	（- 201）	（010）	（010）	（010）
添加物		Sn	Un-doped	Sn	Sn	Un-doped	Fe
伝導性		nタイプ	nタイプ	nタイプ	nタイプ	nタイプ	絶縁材（>1010
Nd Na （cm3）		5E17~9E18	5E17またはより少なく	5E17~9E18	1E18~9E18	1E17~5E17	-
次元	A-B （mm）	50.8±0.3	50.8±0.3	15±0.3	15±0.3	15±0.3	15±0.3
	CD （mm）	41~49.8	41~49.8	10±0.3	10±0.3	10±0.3	10±0.3
	厚さ	0.68±0.02	0.68±0.02	0.68±0.02	0.5±0.02	0.5±0.02	0.5±0.02
	参照（m	Fig.1	Fig.1	Fig.2	Fig.3	Fig.3	Fig.3
オフセット角（程度）		[010]:0±0.4	[010]:0±0.4	[010]:0±0.4	丄[102]:0±1	丄[102]:0±1	丄[102]:0±1
オフセット角（程度）		[102]:0.7±0.4	[102]:0.7±0.4	[102]:0.7±0.4	[102]:0±1	[102]:0±1	[102]:0±1
FWHM （arcsec）		[010]:150またはより少なく	[010]:150またはより少なく	[010]:150またはより少なく	丄[102]:150または	丄[102]:150または	丄[102]:150または
FWHM （arcsec）		[102]:150またはより少なく	[102]:150またはより少なく	[102]:150またはより少なく	[102]:150またはより少なく	[102]:150またはより少なく	[102]:150またはより少なく
表面	前部	CMP	CMP	CMP	CMP	CMP	CMP
表面		荒い	荒い	荒い	荒い	荒い	荒い

項目	指定
オリエンテーション	-100
添加される	UID		Mg		Fe
電気変数	1 ×1017~3×1018cm-3		≥1010 Ω·cm		≥1010 Ω·cm
対水晶の振動カーブの半高さの幅	≤150

転位密度	<1×10 5つのcm-2
次元	A-B	CD		厚度

	10mm	10.5mm		0.5の（±0.02） mm
	5mm	10mm		0.5の（±0.02） mm
平坦	長い側面は[010の]オリエンテーションである
表面	DSP/SSP
	RA<0>
	Mis<>