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マイクロジェットレーザー装置は 革命的な精密加工システムで 熱損傷をなくして高エネルギーレーザービームをマイクロスケール液体ジェットに結合することによって高精度材料加工この技術は,特に半導体製造に適しており,SiC/GaN・ウェーファー切削,TSV掘削,微小微小の精度 (0.5-5μm)伝統的な加工によって引き起こされる縁と熱影響のあるゾーン (HAZ<1μm) を排除する.独特の液体ガイドメカニズムは,機械の清潔性を保証するだけでなく (クラス100基準に沿って)半導体と3Dチップの製造のコア機器となっています.
· 高精度と効率性:マイクロジェットレーザー技術により,レーザービームを焦点化した後,高速水噴出器に結合することで,精度の高い切断と加工が可能になります.伝統的なレーザー加工における熱損傷と材料変形の問題を回避する処理エリアの冷却を維持し,高精度と表面仕上げを保証します.
■ 材料の損傷や熱の影響を受けたゾーンがない:この技術は,熱の影響を受けたゾーンやマイクロ構造の変化を実質的に生み出すために,水噴射冷却能力を利用します.表面を清潔に保ちながら.
■金属,陶器,複合材料,ダイヤモンド,シリコンカービッド,その他の硬くて脆い材料に適しています特に切断厚さ最大ミリメートルで優れた性能.
■ 柔軟性と安全性機械は複数の動作モード (例えば3軸または5軸) をサポートし,処理効率と安全性を向上させるために視覚認識システムと自動フォーカス機能が装備されています.
■環境保護と省エネ:従来のレーザー処理方法と比較して,マイクロジェットレーザー技術により材料の損失とエネルギー消費が減少します.緑の製造の概念に沿って.
| カウンタートップの容量 | 300*300*150 | 400*400*200 |
| 線形軸 XY | 線形モーター | 線形モーター |
| 線形軸 Z | 150 | 200 |
| 定位精度 μm | +/−5 | +/−5 |
| 繰り返し位置付け精度 μm | +/-2 | +/-2 |
| 加速 G | 1 | 0.29 |
| 数値制御 | 3軸 /3+1軸 /3+2軸 | 3軸 /3+1軸 /3+2軸 |
| 数値制御型 | DPSS Nd:YAG | DPSS Nd:YAG |
| 波長 nm | 532/1064 | 532/1064 |
| 定位電源 W | 50/100/200 | 50/100/200 |
| 水噴流 | 40〜100 | 40〜100 |
| ノズルの圧力バー | 50〜100 | 50から600 |
| 寸法 (機械) (幅 * 長さ * 高さ) mm | 1445*1944*2260 | 1700*1500*2120 |
| サイズ (コントロールキャビネット) (W * L * H) | 700*2500*1600 | 700*2500*1600 |
| 重量 (機器) T | 2.5 | 3 |
| 体重 (コントロールキャビネット) kg | 800 | 800 |
| 処理能力 |
表面荒さ Ra≤1.6um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s |
表面荒さ Ra≤1.2um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s |
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ガリウムナイトリッド結晶,超幅帯のギャップ半導体材料 (ダイヤモンド/ガリウム酸化物),航空宇宙の特殊材料,LTCC炭素セラミック基板,光伏,スキンチラター結晶および他の材料の加工. 注:加工容量は材料の特性によって異なります. |
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1航空宇宙および半導体: 航空宇宙の特殊材料の加工問題を解決するために,シリコンカルビッドのブロック切削,ガリウムナトリドの単結晶切削などに使用されます.
2医療機器:高品質の医療機器部品,例えばインプラント,カテーテル,スカルペルなど,高生物互換性および低処理後の要求事項の精密加工に使用される.
3消費電子機器とAR機器:ARレンズ加工で高精度切断と薄さを達成し,シリコンカービッドレンズなどの新しい材料の大規模応用を促進する.
4工業製造:金属,陶器,複合材料などの複雑な部品加工,時計部品,電子部品などに広く使用されています.
1Q: マイクロジェットレーザー技術とは?
A: マイクロジェットレーザー技術では レーザー精度と液体冷却を組み合わせて 超清潔で高精度な材料加工が可能になります
2Q: 半導体製造におけるマイクロジェットレーザーの利点は?
A: SiC や GaN ウェーファーのような脆弱な材料を切ったり 掘り出したりするときに熱損傷や切断を防ぐ
