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SOI・ウェーファー シリコン・オン・イソレーター・ウェーファー 4インチ 5インチ 6インチ 8インチ (100) (111) P型 N型
SOIウエファーとは,二酸化シリコンまたはガラス製の隔熱器に覆われた薄いシリコン単結晶層を指す.簡略にSOIと呼ばれます)薄いSOI層に構築されたトランジスタは,単純なシリコンチップに構築されたものよりも速く動作し,より少ない電力を消費します.シリコン・オン・イソレーター (SOI) 技術は,シリコン半導体装置を層状のシリコン・イソレーター・シリコン基板で製造する技術である.装置内の寄生容量を減らすため,性能を向上させる.SOI ベースの装置は,シリコン接続が電気隔熱器の上にあるという点で,従来のシリコン製デバイスとは異なります通常は二酸化シリコンまたはサファイア (これらのタイプの装置はサファイア上のシリコンまたはSOSと呼ばれます). 隔熱器の選択は,主に意図された用途に依存します.高性能無線周波数 (RF) と放射線に敏感なアプリケーションに使用されるサファイア他のマイクロ電子機器では,短チャネル効果を減少させるため,隔熱層と上層のシリコン層も,アプリケーションによって大きく異なります.
| 直径 | 4インチ | 5インチ | 6インチ | 8インチ | |
| デバイス層 | ドーパント | ボロン,フォス,アルゼンニック,アンチモン,ドーピングされていない | |||
| オリエンテーション | <100>, <111> | ||||
| タイプ | SIMOX,BESOI,Simbond スマートカット | ||||
| 耐性 | 0.001~2000オム・センチメートル | ||||
| 厚さ (mm) | >1.5 | ||||
| TTV | <2m | ||||
| ボックス層 | 厚さ (mm) | 0.2-4.0um | |||
| 統一性 | <5% | ||||
| 基板 | オリエンテーション | <100>, <111> | |||
| タイプ/ドーパント | P型/ボロン型,N型/フォス型,N型/As型,N型/Sb型 | ||||
| 厚さ (mm) | 200〜1100 | ||||
| 耐性 | 0.001~2000オム・センチメートル | ||||
| 表面 完成 | P/P,P/E | ||||
| 粒子 | <10@0.3m | ||||
私たちのカスタマイズされたSoLソリューションは,以下の分野で使用されています:
最終市場:
1.Q: 絶縁装置のシリコンの電解常数は?
A: 一般的に使用されるシリコン材料の介電常数は,シリコン二酸化物 (SiO2) -介電常数 = 3 です.9シリコンナトリド (SiNx) - 介電常数 = 75純粋なシリコン (Si) - 介電常数=117
2.Q:SOIウエフルの利点は?
A: SOI ウェーバー は 放射線 に より 強い 抵抗 を 持っ ており,柔らかい 誤り に 容易 な 影響 を 及ぼし て い ます.より 高密度 の ウェーバー は 生産 率 も 増加 し,それで ウェーバー の 利用 率 も 向上 し ます.SOIウエフルの追加の利点は,温度への依存度が減り,アンテナの問題が少なくなる..
1. GaN-on-Si(111) N/P T型 基板 エピタキシ 4インチ 6インチ 8インチ
