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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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4H SiCシード・ウェーバー 厚さ 600±50μm <1120> カスタマイズ シリコン・カービッドの成長
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4H SiCシード・ウェーバー 厚さ 600±50μm <1120> カスタマイズ シリコン・カービッドの成長
製品の詳細
4H SiCシード・ウェーバー 厚さ 600±50μm <1120> カスタマイズ シリコン・カービッドの成長 SiCシードウエフルの説明: SiCシード結晶は,実際には,単一の結晶を育てるための種子として機能する,望ましい結晶と同じ結晶方向性を持つ小さな結晶である.異なる結晶の方向性を持つ種子結晶...
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