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2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチ シリコンウエファー シリコンウエファー 磨き 塗料なし P型 N型半導体
半導体の製造に使われる材料です 半導体の製造にはあらゆる種類の電子機器が使用され 人々の生活を向上させますシリコンは宇宙で最も一般的な元素として2番目です半導体として技術や電子業界で使用されている.ほとんどの人は,実在のシリコン・ウェーバーを人生で経験したことがある.この超平らな円盤は,鏡のような表面に精製されています表面の細かい不規則性により作られ 世界で最も平らな物体です 汚れや微粒子がなく 極めて清潔です現代の半導体のための完璧な基板材料にするために不可欠な特性.
シワフールの特徴:
Young's Modulus: 約130~185 GPaで,300mmのシリコンウエファーの硬さを示しています
破裂強度:シリコンは破裂強度が低いため,ストレスの下では裂けやすい.
熱伝導性:300Kで約149W/m·Kで,電子機器で発生する熱を散布するのに比較的高く有益です.
熱膨張係数: 約2.6 x 10^-6 /Kで,温度変化によってワッフルが膨張する量を示します.
バンドギャップ: シリコンは室温で間接的な帯ギャップが1.1 eV程度で,トランジスタのような電子機器を作るのに適しています.
抵抗性:ドーピングによって異なります.内在性シリコンは高抵抗性 (~10^3 Ω·cm),ドーピングされたシリコンは10^-3から10^3 Ω·cmの抵抗性を持つことができます.
介電常数: 1MHzで約11.7で,これはシリコン製の装置の電容に影響を与える.
化学的安定性: シリコンは化学的に安定し,水素フッ素 (HF) を除いて,室温ではほとんどの酸や塩基に耐性があります.
酸化:シリコンは高温で酸素にさらされると,固体酸化層 (SiO2) を形成し,この層は隔熱および保護層のために半導体装置の製造に使用される.
Si の形ワッフル:
| パラメータ/特徴 | 記述/仕様 |
| 材料の種類 | 単結晶シリコン |
| 純度 | 99.9999% (6N) 以上 |
| 直径 | 2インチ,3インチ4インチ6インチ8インチ12インチなど |
| 厚さ | 標準厚さまたは顧客の要求に応じてカスタマイズ |
| 結晶の方向性 | <100>, <111>, <110> など |
| オリエンテーション 寛容 | ±0.5°以上 |
| 厚さの許容度 | ±5μm以上の精度 |
| 平らさ | ≤1μm以上 |
| 表面の荒さ | <0.5nm RMS またはそれ以下 |
シ・ウェッファーの写真:
1マイクロチップ製造と統合回路製造
2MEMSおよびマイクロ電子機械システム
3半導体およびセンサー製造
4LED照明とレーザーダイオードの作成
5太陽電池/太陽光電池
6光学機器の部品
7R&D プロトタイプ作成と試験
Si の 梱包 画像ワッフル:
サイズ,厚さ,形状を カスタマイズできます
結晶向き: 300mm シリコンウエファの一般的な向きは<100>,<110>,<111> で,それぞれ異なる電子特性とさまざまなアプリケーションのための利点を提供しています.
ドーパント: 300mm シリコンウエファーは,リン (n型),ボロン (p型),アルセン,アンチモンのような元素でドーパントされ,電気特性を変化させることができます.
ドーピング濃度: 用途によって大きく異なります.高抵抗性ウエフルの非常に低い濃度 (~10^13原子/cm^3) から低抵抗性ウエフルの非常に高い濃度 (~10^20原子/cm^3) まで.
1.Q:シリコンウエファーは何に使われますか?
A:電子機器では,スライスまたは基板とも呼ばれ,スライスまたは基板は,集積回路の製造に使用される,結晶性シリコン (c-Si,シリcium) のような半導体の薄いスライスです.光伏の分野太陽電池を製造する
2.Q:シリコンウエファーとチップの違いは何ですか?
電子機器ではチップとウエーファーが互換的に使用されているが,両者の間にはいくつかの顕著な違いがある.重要な違いの一つは,チップまたは集積回路は電子機器の組成である円盤は集積回路の形成に使用される薄いシリコン片です
1.6インチN型 ポリッシュシリコン・ウェーファー 高純度PVD/CVDコーティング
2.8インチ GaN-on-Si エピタキシシシ基板 110 111 110 MOCVD反応器またはRFエネルギーアプリケーションのために