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SiC ウェーファー 4H N タイプ 8インチ 製造品種 ダミー品種 カスタマイズ 双面磨きシリコンカービッド ウェーファー
| 資産 | P グレード | D級 | |
| 結晶形 | 4H | ||
| ポリタイプ | 許されない | 面積≤5% | |
| (MPD) a | ≤1/cm2 | ≤5/cm2 | |
| ヘクサックスプレート | 許されない | 面積≤5% | |
| 含有する | 面積≤0.05% | N/A | |
| 耐性 | 0.015Ω•cm 0.028Ω•cm | 0.014Ω•cm 0.028Ω•cm | |
| (EPD) a | ≤8000/cm2 | N/A | |
| (TED)a | ≤6000/cm2 | N/A | |
| (BPD) a | ≤2000/cm2 | N/A | |
| (TSD) a | ≤1000/cm2 | N/A | |
| 積み重ねの欠陥 | ≤1% 面積 | N/A | |
| ノッチ方向性 | <1-100>±1° | ||
| ノッチアングル | 90° +5°/-1° | ||
| ノッチ深さ | 1.00mm+0.25mm/-0mm | ||
| 正角誤導 | ±5.0° | ||
| 表面塗装 | C-Face: オプティカル・ポーリング,Si-Face: CMP | ||
| ウェッファー・エッジ | ビーベル | ||
| 表面荒さ ((10μm×10μm) | Si 顔面Ra≤0.2 nm;C 顔面Ra≤0.5 nm | ||
| LTV ((10mm×10mm) a | ≤3μm | ≤5μm | |
| (TTV)a | ≤10μm | ≤10μm | |
| (BOW)a | ≤25μm | ≤40μm | |
| (ウォープ) a | ≤40μm | ≤80μm | |
1電力装置:
SiCウエファは,パワーモスフェット (金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ),ショットキーダイオード,パワー統合モジュールなどの電力電子機器の製造に使用されています.高熱伝導性の利点により高温,高電圧で効率的で高性能な電源変換を実現できます高周波環境で.
2. 光電子装置:
SiCウエファは光電子機器において重要な役割を果たし,光検出器,レーザーダイオード,紫外線源などの製造に使用されている.シリコン カービッド の 優良 な 光学 特性 や 電子 特性 に よっ て,好み た 材料 と なり ます特に高温,周波数,電力のレベルを必要とするアプリケーションでは優れています.
3. ラジオ周波数 (RF) 装置
SiCウエファは,RF電源増幅器,高周波スイッチ,RFセンサーなど,RFデバイスの製造にも使用されています.高熱安定性,高周波特性,ワイヤレス通信やレーダーシステムなどの RFアプリケーションに理想的な選択肢です.
4高温電子機器:
高熱安定性と高温耐性があるため,SiCウエファは高温環境で動作するように設計された電子機器の製造に使用されます.高温電源電子機器を含むセンサーとコントローラ
Q&A: ありがとうございました
1Q: その通りです何だ?重要性高品質のシリコンカービッドのウエフラー?
A: これは,半導体産業が高性能で信頼性の高いデバイスの需要を満たすため,シリコンカービッド装置の大規模生産を可能にする重要なステップです.
2Q: シリコンカービードウエファーは,パワー電子や光電子などの特定の半導体アプリケーションでどのように利用されますか?
電力モスフェットやショットキーダイオードなどの デバイスに使われています熱伝導性が高く,電圧処理能力が高いため光電子機器では,SiCウエファが光検出器,レーザーダイオード,UV源に使用される.高性能光電子装置を可能にする.
3Q: 半導体用には,従来のシリコンウェーバーに比べてシリコンカーバイド (SiC) はどのような利点があるのでしょうか?
A: シリコンカービードは,より高い分解電圧,より高い熱伝導性,より広い帯域隙間,および強化された温度安定性を含む,伝統的なシリコンウェーバーに比べていくつかの利点を提供しています.この特性により,SiCウエファは高電力用に最適です.伝統的なシリコンウエファが最適に機能しない場合
