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Ledsの半導体レーザーの光電子工学のための高い硬度4Inchのサファイアのウエファー

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Ledsの半導体レーザーの光電子工学のための高い硬度4Inchのサファイアのウエファー

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型式番号 :4INCH*0.5mmt
原産地 :陶磁器
最低順序量 :25pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :1ヶ月あたりの1000PCS
受渡し時間 :1週間
包装の細部 :100gradeクリーン ルームの下の25pcsカセット ウエファー箱
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製品の説明を表示

4inch 101.6mmのサファイアのウエファーの基質のキャリアの単一の側面は単結晶Al2O3を磨いた

4inchサファイアのウエファーの基質の適用

4インチのサファイアのウエファーはLED、半導体レーザー、光電子工学装置、半導体デバイスおよび他の分野で広く利用されている。サファイアのウエファーの高く軽い伝送そして高い硬度はそれらに製造の高明るさおよび強力なLEDsのための理想的な基質材料をする。さらに光学Windowsの機械部品を製造するのに、またサファイアのウエファーが等使用することができる。

サファイアの特性

物理的
化学式 Al2O3
密度 3.97 g/cm3
硬度 9 Mohs
融点 2050年のoc
最高。使用温度 1800-1900oC
機械
引張強さ 250-400 MPa
耐圧強度 2000年のMPa
ポアソンの比率 0.25-0.30
ヤングの係数 350-400 GPa
曲がる強さ 450-860 MPa
有頂天の係数 350-690 MPa
上昇温暖気流
線形拡張率(293-323 K)で 5.0*10-6K-1 (C) ⊥
6.6*10-6K-1 (C) ∥
熱伝導性(298 K)で 30.3と(m*K) (C) ⊥
32.5と(m*K) (C) ∥
比熱(298 K)で 0.10 cal*g-1
電気
抵抗(298 K)で 5.0*1018 Ω*cm (C) ⊥
1.3-2.9*1019 Ω*cm (C) ∥
比誘電率(103 - 109のHz間隔の298 Kで、) 9.3 (⊥ C)
11.5 (∥ C)

 

 

工程:

サファイアのウエファーのための工程は通常次のステップが含まれている:

 

  • 高い純度のサファイアの単結晶材料は選ばれる。

  • 適切なサイズの水晶への切られたサファイアの単結晶材料。

  • 水晶は高温および圧力によってウエファーの形に処理される。

  • ひき、磨く精密は何回も良質の表面の終わりおよび平坦を得る行われる

Ledsの半導体レーザーの光電子工学のための高い硬度4Inchのサファイアのウエファー

4inchサファイアのウエファーの基質のキャリアの指定

Specs 2インチ 4インチ 6インチ 8inch
Dia 50.8 ± 0.1 mm 100 ± 0.1 mm 150 ± 0.1 mm 200 ± 0.1 mm
厚い 430 ± 25 um 650 ± 25 um 1300の± 25 um 1300の± 25 um
RA RAの≤ 0.3 nm RAの≤ 0.3nm RAの≤ 0.3nm RAの≤ 0.3 nm
TTV ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um
許容 ≤ 3 um ≤ 3 um ≤ 3 um ≤ 3 um
質の表面 20/10 20/10 20/10 20/10
表面国家 DSP SSPの粉砕
ノッチまたは平坦の円
小さな溝 45°のCの形
材料 Al2O3 99.999%
N/O サファイアのウエファー

 

材料は育ち、方向づけられ、基質はウエファーの1つのまたは両側の非常に滑らかな無傷性のEpi準備ができた表面に製造され、磨かれる。直径のいろいろなウエファーのオリエンテーションおよびサイズ6"まで利用できる。

平面のサファイアの基質は通常均一比誘電率を要求し、非常に特徴を絶縁する雑種のマイクロエレクトロニック適用のために-使用される。

C平面の基質-全Vおよびll-Vlの混合物に、明るく青および緑LEDおよび半導体レーザーのためのGaNのような、使用しであって下さい。

R平面の基質-これらはマイクロエレクトロニックICの適用で使用されるケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために好まれる。

 

標準的なウエファー

2インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
3インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
4インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
6インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
特別な切口
平面の(1120の)サファイアのウエファー
R平面の(1102の)サファイアのウエファー
M平面の(1010の)サファイアのウエファー
N平面の(1123の)サファイアのウエファー
軸線またはM軸線の方の0.5°~ 4°のoffcutとのC軸線、
他のカスタマイズされたオリエンテーション
カスタマイズされたサイズ
10*10mmのサファイアのウエファー
20*20mmのサファイアのウエファー
超薄い(100um)サファイアのウエファー
8インチのサファイアのウエファー
 
模造されたサファイアの基質(PSS)
2インチのC平面PSS
4インチのC平面PSS
 
    
2inch

DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm

/0.5mm/ 1.0mmt

 

SSPのC軸線0.2/0.43mm

(DSP&SSP) axis/M axis/R軸線0.43mm

 

 

3inch

 

DSP/SSPのC軸線0.43mm/0.5mm

 

 

4Inch

 

dsp c軸線0.4mm/0.5mm/1.0mm

sspのc軸線0.5mm/0.65mm/1.0mmt

 

 

6inch

sspのc軸線1.0mm/1.3mmm

 

dspのc軸線0.65mm/0.8mm/1.0mmt

 

 

 

101.6mmの4inchサファイアのウエファーのサファイアの細部

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同じようなプロダクト:

4インチのサファイアのウエファーに加えて、2インチ、3インチ、6インチまた更により大きいサファイアのウエファーのようなから、選ぶサファイアのウエファーの他のサイズそして形がある。さらに、ledsおよび半導体デバイスを製造するのに使用することができる窒化アルミニウム(AlN)および炭化ケイ素(SiC)のような他の材料がある。

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