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2inch INPウエファー3inch 4inch N/PのタイプINP半導体の基質ウエファーによって添加されたS+/Zn+ /Fe +リン化インジウムはエピタキシアル ウエファーの単結晶のリン化インジウムのウエファーINPウエファー2 inch/3 inch/4のインチ350-650 um INP水晶ウエファーのダミーの主な半導体の基質を基づかせていた
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サイズ（mm）
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Dia50.8x0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mmはカスタマイズすることができる
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RA
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表面の粗さ（RA）:<>
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ポーランド
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単一または倍磨かれる味方しなさい
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パッケージ
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単一100つまたは倍は磨かれて味方する
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それに高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導の利点がある。のために適した
製造の高周波、高速、強力なマイクロウェーブ装置および集積回路。
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ウエファーの直径（mm）
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50.8±0.3
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76.2±0.3
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100±0.3
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厚さ（um）
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350±25
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625±25
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625±25
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TTV-P/P （um）
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≤10
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≤10
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≤10
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TTv P/E （um）
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≤10
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≤15
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≤15
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歪めなさい（um）
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≤15
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≤15
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≤15
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の（mm）
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17±1
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22±1
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32.5±1
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OF/IF （mm）
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7±1
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12±1
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18±11
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| 記述 | 適用 | 波長範囲 |
| INPはEpiウエファーを基づかせていた | FPレーザー | ~1310nm;~1550nm;~1900nm |
| DFBレーザー | 1270nm~1630nm | |
| なだれのフォトディテクター | 1250nm~1600nm | |
| フォトディテクター | 1250nm~1600nm/>2.0um （InGaAsの吸収性の層）;<1> |
| 製品名 |
| 高い純度のリン化インジウムの多結晶性基質シート |
| 鉄によって添加されるリン化インジウムの水晶 |
| NタイプおよびPタイプのリン化インジウムの水晶 |
| 4インチのリン化インジウムの単結晶のインゴット |
| リン化インジウムはエピタキシアル ウエファーを基づかせていた |
| リン化インジウムの半導体の水晶基質 |
| リン化インジウムの単結晶の基質 |
| インジウムのアンチモン化物の単結晶の基質 |
| インジウムのヒ素の単結晶の基質 |
---FAQ –
:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である
在庫では、それは量に従ってある。
