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GaNのウエファーの特徴
| プロダクト | ガリウム窒化物（GaN）の基質 | ||||||||||||||
| 製品の説明: |
Saphhire GaNの型板はEpitxialの水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）方法を示される。HVPEプロセスでは、 酸はガリウム窒化物の溶解を作り出すためにアンモナルと次々と反応する反作用GaClによって作り出した。GaNのエピタキシアル型板はガリウム窒化物の単結晶の基質を取り替える費用効果が大きい方法である。 |
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| 技術的な変数: |
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| 指定: |
、2" * 30ミクロンNタイプ、GaNのエピタキシアル フィルム（Cの平面）サファイア; NタイプGaNのエピタキシアル フィルム（Cの平面） 2" *サファイア5ミクロンの; NタイプGaNのエピタキシアル フィルム（Rの平面） 2" *サファイア5ミクロンの; NタイプGaNのエピタキシアル フィルム（Mの平面） 2" *サファイア5ミクロンの。 AL2O3 + GaNのフィルム（Nタイプの添加されたSi）;AL2O3 + GaNのフィルム（Pタイプの添加されたMg） 注:顧客需要の特別なプラグのオリエンテーションおよびサイズに従って。 |
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| 標準的な包装: | 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱の包装 |
適用
GaNはLED表示、高エネルギー検出およびイメージ投射のような多くの地域で使用することができる
レーザーの投射の表示、力装置、等。
指定:
| GaNの無極性の支えがない基質（平面およびm平面） | ||
| 項目 | GaN FS | GaN FSm |
| 次元 | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| カスタマイズされたサイズ | ||
| 厚さ | 350 ± 25のµm | |
| オリエンテーション | 平面の± 1° | m平面の± 1° |
| TTV | ≤15 µm | |
| 弓 | ≤20 µm | |
| 伝導のタイプ | Nタイプ | |
| 抵抗（300K） | < 0=""> | |
| 転位密度 | 5x106 cm-2よりより少し | |
| 使用可能な表面積 | > 90% | |
| ポーランド語 | 前部表面:RA < 0=""> | |
| 背部表面:良い地面 | ||
| パッケージ | 、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | |
Q:あなたの最低順序の条件は何であるか。
:MOQ:10部分
Q:私の順序および配達を実行するためにそれどの位かかるか。
:5daysの支払そして配達を確認した後順序1daysを在庫で確認しなさい。
Q:あなたのプロダクトの保証を与えることができるか。
:私達は質に問題があれば質を、私達作り出す新しい作り出すか、または戻すお金約束する。
Q:支払う方法か。
:T/T、Paypalの西連合、銀行振替。
Q:貨物はどうですか。
:私達は記述を持たなければ料金の支払をするのを助けてもいい、
順序が10000usdにあれば、私達はCIFによって配達できる。
