6インチ-高い-純度のSemi-insulating 4H SiC基質の指定

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Sic添加された4h-Semi高い純度のカスタマイズされたサイズSicの陶磁器の水晶棒レンズdiameter2mm 10mmの長さの高精度1mm 2mm 3mm 4mm 5mm 6mm 24mm等の炭化ケイ素の陶磁器のベアリング用ボールは産業カスタマイズされた黒いSiCの炭化ケイ素の陶磁器の版に玉を付ける
6インチ-高い-純度のSemi-insulating 4H SiC基質の指定
特性 | UfUhniの)等級|P (Produeben)の等級 | R (研究)の等級 | D (模造の〉の等級 | |
直径 | 150.0 mmHJ.25 mm | |||
表面のOncniation | {0001} ±0.2。 | |||
第一次平らなOrientalicn | ||||
二次帽子OrientaUen | N>A | |||
第一次平らな長さ | 47.5 mm ±1.5 mm | |||
二次平らな長さ | どれも | |||
Waの知の端 | 小さな溝 | |||
Micropipc密度 | <1 knr="">2 | <10>2 | <50>2 | |
高imcnsityライトによるPoljlypc区域 | どれも | <>10% | ||
抵抗しなさい!vit)、 | >lE7Hcm | (区域75%) >lE7D cm | ||
厚さ | 350.0 pmの± 25.0ジムまたは500.0の呻の± 25.C pm | |||
TTV | S 10 pm | |||
Bou |
=40 pm | |||
ゆがみ | -60 pm | |||
表面の終わり | C-focc:光学磨かれる、Sifocc:CMP | |||
Roughncss (m) lC UmXIOu | CMPのSi蜂のRA |
N/A | ||
High-intcnsity*ライトでひび | どれも | |||
Diffuse照明による端の破片/lndcnts | どれも | Qly<2> | ||
有効範囲 | >90% | >8C% | N/A | |
ZMKJ Companyについて
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー(炭化ケイ素)をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。