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6"への私達の2つは『半導体の集積回路の塗布及びLEDの全般照明の適用で『半導体及びsemi-insulating GaAsの水晶及びウエファー乱暴に使用される。
| 特徴 | 適用分野 |
|---|---|
| 高い電子移動度 | 発光ダイオード |
| 高周波 | 半導体レーザー |
| 高い変換効率 | 光起電装置 |
| 低い電力の消費 | 高い電子移動度のトランジスター |
| 直接バンド ギャップ | ヘテロ接合の両極トランジスター |
半導体GaAsのウエファーの指定
成長方法 | VGF | |||
添加物 | pタイプ:Zn | nタイプ:Si | ||
ウエファーの形 | 円形（dia:2"、3"、4"、6"） | |||
表面のオリエンテーション* | （100） ±0.5° | |||
*利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション | ||||
添加物 | Si （nタイプ） | Zn （pタイプ） | ||
キャリア集中（cm3） | （0.8-4の） × 1018 | （0.5-5の） × 1019 | ||
移動性（cm2/V.S.） | （1-2.5の） × 103 | 50-120 | ||
腐食ピッチ密度（cm2） | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
ウエファーの直径（mm） | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
厚さ（µm） | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] （µm） | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] （µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
ゆがみ（µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
の（mm） | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
の/（mm） | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E、 | E/E、 | E/E、 | |
semi-insulating GaAsのウエファーの指定
成長方法 | VGF | |||
添加物 | SIのタイプ:カーボン | |||
ウエファーの形 | 円形（DIA:2"、3"、4"、6"） | |||
表面のオリエンテーション* | （100） ±0.5° | |||
*利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション | ||||
抵抗（Ω.cm） | ≥ 1の× 107 | ≥ 1の× 108 | ||
移動性（cm2/V.S） | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 | ||
腐食ピッチ密度（cm2） | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
ウエファーの直径（mm） | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
厚さ（µm） | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] （µm） | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] （µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
ゆがみ（µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
の（mm） | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ノッチ |
の/（mm） | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E、 | E/E、 | E/E、 | E/E、 |
FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
（1）私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
（2）あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 （最初の重量） + USD12.0/kg
Q:支払う方法か。
Alibabaおよび等のT/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証…
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-20pcsである。
それは量および技術によって決まる
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。
包装– Logistcs
私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわる。量そして形のプロダクトに従って、
私達は別の包装プロセスを取る!
