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650um/1000um厚さの2inch /3inch 4inch /5inchのC軸線の軸線のr軸線のm軸線の6"/6inch dia150mm C平面のサファイアSSP/DSPのウエファー
| 概要 | |||||
| 化学式 | Al2O3 | ||||
| 結晶構造 | 六角形システム（（hk o 1） | ||||
| 単位格子次元 | a=4.758 Å、Å c=12.991 Å、c:a=2.730 | ||||
| 物理的 | |||||
| メートル | 英語（帝国） | ||||
| 密度 | 3.98 g/cc | 0.144 lb/in3 | |||
| 硬度 | 1525 - 2000年Knoop、9つのmhosの | 3700° F | |||
| 融点 | 2310 K （C） 2040° | ||||
| 構造 | |||||
| 引張強さ | 275 MPaへの400 MPa | 40,000から58,000のpsi | |||
| 20° | 400 MPa | 58,000のpsi （設計min.） | |||
| 500° C | 275 MPa | 40,000のpsi （設計min.） | |||
| 1000° C | 355 MPa | 52,000のpsi （設計min.） | |||
| Flexural Stength | 480 MPaへの895 MPa | 70,000から130,000のpsi | |||
| 圧縮の強さ | 2.0 GPa （最終的な） | 300,000のpsi （最終的） |
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中国で多くの会社によってサファイア ガラスの成長のためのKyropoulosプロセス（KYプロセス）が現在電子工学および光学工業のためのサファイアを作り出すのに使用されています。
高純度、酸化アルミニウムは2100の摂氏温度上ののるつぼで溶けます。通常るつぼはタングステンかモリブデンから成っています。正確に方向づけられた種結晶は溶解したアルミナに浸ります。種結晶はゆっくり上向きに引っ張られ、同時に回るかもしれません。正確に気温傾度を、引きの率および温度の減少制御することによって、の率大きいのの単一水晶、溶解からの大体円柱インゴット作り出すことは可能です。
単結晶のサファイアのboulesが育った後、円柱棒に中心あきます、棒は望ましい窓の厚さにスライスされ、望ましい表面の終わりに最終的に磨かれます。
半導体回路のための基質として使用
薄いサファイアのウエファーはケイ素を沈殿させるためにサファイアか「SOS」で集積回路をケイ素として知られているように、優秀な電気絶縁の特性のほかにするためにサファイアに高い熱伝導性がある絶縁の基質の最初の巧妙な使用でした。サファイアのCMOSの破片は携帯電話、公衆安全バンド ラジオおよび衛星通信システムに見つけられるそれらのような無線周波数の(RF)の強力な適用のために特に有用です。
単一水晶のサファイアのウエファーはガリウム窒化物（GaN）に基づいて装置の成長のために基質として半導体工業でも使用されます。サファイアの使用はかなりゲルマニウムの費用約7分の1があるので、コストを削減します。サファイアのガリウム窒化物は青い発光ダイオード(LEDs)で一般的です。
窓材料として使用される
総合的なサファイアは（時々サファイア ガラスと言われる） 750 nmに150 nm （紫外線）と5500 nm （IR）間のライトの波長に対して（透明な両方非常に可視スペクトルであるので窓材料として一般的、伸ばします約380 nmをおよび非常に傷抵抗力があるです。サファイアの窓の主な利点は次のとおりです:
*紫外線からのほぼ赤外線への非常に広い光学伝達バンド
*他の光学材料またはガラス窓よりかなり強い
*負傷および摩耗（ミネラル硬度のスケールのMohsスケールの9、moissaniteの隣の第3最も堅く自然な物質およびダイヤモンド）に対して非常に抵抗力がある
*非常に高い溶ける温度（2030年の°C）
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標準的なウエファー 2インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
3インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 4インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 6インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP |
スペシャルの切口
平面の（1120の）サファイアのウエファー R平面の（1102の）サファイアのウエファー M平面の（1010の）サファイアのウエファー N平面の（1123の）サファイアのウエファー 軸線またはM軸線の方の0.5°~ 4°のoffcutとのC軸線、 他のカスタマイズされたオリエンテーション |
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カスタマイズされたサイズ
10*10mmのサファイアのウエファー 20*20mmのサファイアのウエファー 超薄い（100um）サファイアのウエファー 8インチのサファイアのウエファー |
模造されたサファイアの基質(PSS)
2インチのC平面PSS 4インチのC平面PSS |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt SSPのC軸線0.2/0.43mm （DSP&SSP） axis/M axis/R軸線0.43mm
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| 3inch |
DSP/SSPのC軸線0.43mm/0.5mm
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| 4Inch |
dspのc軸線0.4mm/0.5mm/1.0mm sspのc軸線0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch |
sspのc軸線1.0mm/1.3mmm
dspのc軸線0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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基質のための指定
| 項目 | 変数 | Spec | 単位 | ||
| 1 | 製品名 | サファイアのウエファー（Al2O3） | |||
| 2 | 直径 | 2" | 4" | 6" | mm |
| 3 | 厚さ | 430± 25 | 650± 25 | 1000の± 25 | μm |
| 4 | 表面のオリエンテーション | C平面（0001）の傾けられたM軸線0.2°/0.35°± 0.1° | 程度 | ||
| 5 | 第一次平たい箱 | 軸線（11-20）の± 0.2° | 程度 | ||
| オリエンテーションの長さ | 16 ± 0.5 | 31 ± 1.0 | 47.5 ± 2.0 | mm | |
| 6 | TTV | < 10=""> | < 10=""> | < 25=""> | μm |
| 7 | 弓 | -10 | 0 | -15 | 0 | -30 | 0 | μm |
| 8 | ゆがみ | 10 | 20 | 30 | μm |
| 9 | 荒さの前側 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | nm |
| 10 | 荒さの裏側 | 1.0 ± 0.3 | μm | ||
| 11 | ウエファーの端 | RタイプかTタイプ | |||
| 12 | レーザーの印 | カスタマイズして下さい | |||
プロダクト細部
他の関連のサファイア プロダクト
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