Nd:YVO4結晶は、ダイオードレーザー励起固体レーザー用に現在存在する最も効率的なレーザーホスト結晶の1つです。Nd:YVO4 は、レーザー発振波長での大きな誘導放出断面積、ポンプ波長での高い吸収係数と広い吸収帯域幅、高いレーザー誘起損傷閾値、優れた物理的、光学的、機械的特性により、高出力、安定性、および費用対効果の高いダイオード励起固体レーザー。

Nd:YVO4 の一般仕様:

Ndドーパントレベル	0.1～5.0atm%
散乱	目に見えない、He-Ne レーザーでプローブ
方向公差	±0.5度
寸法公差	±0.1mm
表面品質	10/5 スクラッチアンドディグ
クリアアパーチャ	>90%
表面の平坦度	<λ/10@633nm
波面歪み	<λ/8@633nm
並列処理	<10秒角
端面構成	プラノ/プラノ
固有損失	< 0.1%cm-1
コーティング	AR1064&HT808: R<0.1%@1064nm, R<5%@808nm HR1064&HT808&HR532: R>99.8%@1064nm、R<5%@808nm、r="">99%@532nm AR1064: R<0.1%@1064nm

Nd:YVO4の物性:

原子密度	~1.37x10²⁰原子/cm³
結晶構造	ジルコン正方晶、空間群 D4h
結晶構造	a=b=7.12、c=6.29
密度	4.22g/cm³
モース硬度	ガラス状、～5
熱膨張係数	a=4.43×10^-6/K, c=11.37x10^-6/K

Nd:YVO4 の光学特性(通常、1.1 atm% Nd:YVO4、a カット結晶の場合)

発振波長	914nm、1064nm、1342nm
熱光学係数	dna/dT=8.5x10^-6/K, dnc/dT=3.0x10^-6/K
誘導放出断面積	25.0×10^-19cm²@1064nm
蛍光寿命	90us @808nm (2atm% Nd ドープで 50us @808nm)
吸収係数	31.4cm^-1@808nm
吸収長	0.32mm @808nm
固有損失	0.1%cm未満^-1@1064nm
ゲイン帯域幅	0.96nm (257GHz) @1064nm
偏光レーザー発光	p 偏光、光軸 (c 軸) に平行
ダイオード励起光から光への効率	>60%
クリスタルクラス	正の一軸、no=na=nb、ne=nc、 no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @808nm no=2.0210, ne=2.2560, @532nm
セルマイヤーの式 (純粋な YVO4 結晶の場合、λ は um)	番号²=3.77834+0.069736/(λ²-0.04724)-0.0108133λ²ねえ²=4.59905+0.110534/(λ²-0.04813)-0.0122676λ²

レーザー特性 (Nd:YVO4 VS Nd:YAG):

レーザークリスタル	Ndドープ	σ	α	τ	ラ	P番目	η
レーザークリスタル	(atm%)	(×10^-19cm²)	（cm^-1)	（cm^-1)	（んん）	(mW)	( %)
Nd:YVO4(aカット)	1.1	25	31.2	90	0.32	78	48.6
Nd:YVO4(aカット)	2	25	72.4	50	0.14	78	48.6
Nd:YVO4(cカット)	1.1	7	9.2	90		231	45.5
Nd:YAG	0.85	6	7.1	230	1.41	115	38.6

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ジルコン正方晶レーザー結晶 914nm ND Yvo4 結晶の目に見えない散乱

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