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| 仕様 | 値 |
|---|---|
| インダクタンス | 350 µH min @ 100 kHz, 0.2 V, 8 mA DCバイアス |
| 漏れインダクタンス | 0.50 µH max @ 100 kHz, 0.2 V |
| 巻線間容量 | 25 pF typ @ 100 kHz, 0.2 V |
| DC抵抗 (DCR) | 0.90 Ω max |
| 挿入損失 | -1.1 dB max (0.3–100 MHz) |
| リターンロス | -18 dB min (0.3–30 MHz) -14.4 dB (40 MHz) -13.1 dB (50 MHz) -12 dB (60–80 MHz) |
| クロストーク | -35 dB min (0.3–30 MHz) -28 dB min (60–100 MHz) |
| コモンモード除去 | -40 dB min (0.3–30 MHz) -35 dB (60 MHz) -30 dB (80–100 MHz) |
| 巻数比 | 1CT : 1 ±5% |
| PoE+電流 | 1000BASE-Tで最大650 mA |
| 絶縁耐圧 (Hi-Pot) | 1500 VAC, 1 mA, 1秒 |
| 動作温度範囲 | -40°C ～ +85°C |
このPT61020ELは、シングルポート、表面実装LANトランスモジュールで、10/100/1000 Base-Tイーサネットアプリケーション向けに設計されています。耐久性を高めるためにポッティング構造に収められており、このトランスは、高性能ネットワーキング機器 Power over Ethernet (PoE+)を必要とする
に最適です。コンパクトなフットプリント17.62 × 16 × 6 mmで、PT61020ELは、堅牢な磁気性能と1.5 kVrms
の高絶縁バリアを統合し、信頼性の高い信号完全性とシステム保護を保証します。最大650 mAのPoE+電流をサポートし、ルーター、スイッチ、IPカメラ、産業用ネットワーキングデバイスなど、IEEE 802.3イーサネットシステムのニーズに対応します。
■1000 Base-TのIEEE802.3abドラフト規格に準拠
■長距離ギガビットイーサネット10/100/1000 Base-T全二重アプリケーション向けに設計
■リフロープロセス（245 °ピーク）用に設計された薄型表面実装パッケージ
■カテゴリ5 UTPケーブルの4ペアをサポート
■RoHS準拠
PT61020EL アプリケーション:
■ LAN
■ イーサネット
