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SI7121DN-T1-GE3 PチャンネルMOSFETIC 30V 16A 52W 1.8mohm 10V

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China SI7121DN-T1-GE3 PチャンネルMOSFETIC 30V 16A 52W 1.8mohm 10V wholesale

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SI7121DN-T1-GE3 PチャンネルMOSFETIC 30V 16A 52W 1.8mohm 10V

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モデル番号 :SI7121DN-T1-GE3

産地 :アメリカ合衆国

最低注文量 :1pcs

支払条件 :T/T,ウェスタン・ユニオン

供給能力 :5000

配達時間 :1日

パッケージの詳細 :リール

日付コード :最新のコード

輸送する :DHL/UPS/FEDEX

条件 :新しい*オリジナル

保証 :365日

鉛のない :ローズ・コンパイル

リードタイム :すぐに出荷する

パッケージ :パワーパック1212-8

マウントスタイル :SMD/SMT

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製品の説明を表示

SI7121DN-T1-GE3 MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V

製造者:	ヴィシェイ
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS について	詳細
テクノロジー	そうだ
マウントスタイル:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	パワーパック1212-8
トランジスタの偏性:	Pチャンネル
チャンネル数:	1 チャンネル
Vds - 排水源の断熱電圧:	30V
Id - 連続流出電流:	18A
Rds ON - 排水源抵抗:	26mOhms
Vgs - ゲート・ソースの電圧:	- 25V, + 25V
Vgs th - ゲート・ソースの限界電圧:	2.5V
Qg - ゲートチャージ	50 nC
最低動作温度:	- 50セント
最大動作温度:	+150C
Pd - エネルギー分散:	27.8W
チャンネルモード:	強化
商標名:	トレンチFET
パッケージ:	リール
パッケージ:	切断テープ
パッケージ:	マウスリール
ブランド:	ビシャイ半導体
構成:	シングル
高さ:	1.04mm
長さ:	3.3mm
製品タイプ:	MOSFET
サブカテゴリ:	MOSFET
幅:	3.3mm
部分# 偽名	SI7121DN-GE3
単位重量:	0.032487オンス

商品のタグ：

ag726 mosfet

1n5399 diode

mosfet irf3205

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