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2 年
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W29C040T-90B 製品の詳細
一般的な説明
W29C040は4メガビット,5ボルトのみCMOSページモードです フラh 512K ́8ビットとして組織されたメモリ.デバイスは標準的な5V電源でシステム内書き込み (消去およびプログラム) することができる.12ボルトのVPPは必要ありません.W29C040のユニークなセルアーキテクチャは,非常に低電流消費 (他の比較可能な5ボルトフラッシュメモリ製品と比較して) で高速書き込み (消去/プログラム) 操作を結果とする.) デバイスは標準的なEPROMプログラマーを使用して消去およびプログラムすることもできます.
特徴
● 単一の5ボルトの書き込み (消去とプログラム) 操作
· 迅速なページ書き込み操作
- 256バイト / ページ
- ページ書き込み (削除/プログラム) サイクル: 5mS (典型)
- バイト書き込み (消去/プログラム) サイクルの有効時間:19.5mS
- ソフトウェアで保護されたデータを書き込む
· 快速チップ消去操作: 50mS
■ ロックアウト付きの16KBのブートブロック2つ
ページ書き込み (削除/プログラム) サイクル: 50K (典型)
読み込み時間: 70/90/120 nS
· 10 年間のデータ保存
■ ソフトウェアとハードウェアのデータ保護
· 低電力消費
- 活性電流: 25 mA (典型)
- 待機電流: 20 mA (典型)
·内部VPP生成で自動書き込み (消去/プログラム) タイミング
書き込み終了 (消去/プログラム) の検出
- トーグリングビット
- データ調査
· 固定アドレスとデータ
■すべての入力と出力は直接TTL対応
JEDEC 標準バイト幅のピノート
■32ピン600ミリDIP,TSOP,PLCCのパッケージが用意されています.
